《Journal of Semiconductors》雜志級別為CSCD期刊、統計源期刊。目前刊期為月刊。

《Journal of Semiconductors》雜志簡介信息

《Journal of Semiconductors》雜志，出版地：北京，于1980年正式創刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性,刊載內容涉及的欄目：研究論文、研究快報、研究簡報、技術進展。

《Journal of Semiconductors》（半導體學報）是一本專門發表半導體領域學術論文的高水平期刊。該雜志由半導體學術界和工業界的專家共同組成的編委會負責篩選和審核投稿的論文，以促進半導體科學與技術的研究和發展。雜志接受的論文包括但不限于半導體材料的合成與性能研究、新型器件的設計與制備、半導體物理與光電特性研究、半導體器件的封裝與封裝技術、半導體器件的測試和可靠性評估等。不僅包括理論研究，還包括實驗研究和模擬仿真研究，全面覆蓋了半導體科學與技術的重要領域。

該雜志注重論文的學術質量和創新性。所有的投稿論文都經過嚴格的同行評議過程，確保論文的學術質量和可靠性。雜志會選擇那些具有創新性、科學性和技術應用前景的論文進行發表，以推動半導體領域的最新研究進展。此外，致力于推動國際學術交流與合作。雜志鼓勵國內外學者和研究機構積極投稿，并特別關注國際合作項目和跨學科項目的成果。雜志還定期舉辦學術研討會和國際會議，為學者們提供學術交流與合作的機會。

總之，該雜志廣泛涵蓋半導體領域的各個方面，并通過嚴格的同行評議過程保證論文的學術質量和創新性。對于半導體領域的學者、研究人員和工程師來說，《Journal of Semiconductors》是一個重要的學術平臺，提供了交流思想、分享研究成果和了解領域最新進展的機會。

《Journal of Semiconductors》雜志特色：

<一>半導體材料與器件：介紹半導體材料和器件的研究與應用，包括晶體生長、材料表征和器件制備等方面的科學突破和技術創新。

<二>半導體器件物理與模擬：研究半導體器件的物理原理和模擬方法，包括器件行為、載流子輸運和能帶結構等方面的理論研究和數值模擬。

<三>光電子器件與光學通信：探討光電子器件和光學通信的發展和應用，包括光纖通信、光電探測和光子集成等方面的科學研究和工程創新。

<四>硅基和復合半導體器件：介紹硅基和復合半導體器件的研究和開發，包括CMOS微電子器件、功率器件和傳感器等方面的材料和工藝創新。

<五>磁性半導體和自旋電子學：研究磁性半導體和自旋電子學的理論和實踐，包括自旋輸運、自旋操控和磁性存儲等方面的研究成果和應用探索。

<六>半導體光電子學與光子學：介紹半導體光電子學和光子學的進展和應用，包括激光器、發光器件和光傳感器等方面的物理機制和器件設計。

<七>納米半導體與量子器件：研究納米半導體和量子器件的特性和應用，包括量子點、量子阱和納米線等方面的制備、調控和應用探索。

<八>各向異性和多功能材料：探討各向異性和多功能材料在半導體領域的應用，包括二維材料、有機半導體和過渡金屬氧化物等方面的研究成果和應用前景。

<九>半導體器件可靠性和可持續性：研究半導體器件的可靠性和可持續性問題，包括老化機制、失效分析和環境友好材料等方面的研究和實踐經驗。

<十>新興半導體材料和器件：介紹新興半導體材料和器件的突破和應用，包括有機半導體、拓撲材料和自愈材料等方面的前沿研究和科技創新。