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摘要：采用真空熱蒸發工藝，在ITO基片上分別制備ZnS薄膜和In薄膜，在正交實驗條件下，以2％摻雜濃度的In原子摻雜可獲得較高的載流子濃度，在此基礎上，研究了不同退火溫度對ZnS：In薄膜的光、電性能的影響。
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現代顯示雜志， 月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：綜述、專題研究、新技術新產品、工藝與材料、市場分析、顯示信息、行業動態、公司傳真等。于1994年經新聞總署批準的正規刊物。
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