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一種低功耗曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源
作者：侯德權(quán); 周莉; 陳敏; 肖璟博; 張成彬; 陳杰 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所; 北京100029; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué); 北京100049
摘要：設(shè)計(jì)了一種低功耗曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源。利用亞閾值MOS管差分對(duì),產(chǎn)生曲率補(bǔ)償電流,對(duì)輸出基準(zhǔn)電壓進(jìn)行曲率補(bǔ)償。采用低功耗運(yùn)放來(lái)增強(qiáng)基準(zhǔn)電壓源的電源抑制能力,同時(shí)降低基準(zhǔn)電壓源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信號(hào)CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明,在1.5V電源電壓下,基準(zhǔn)電壓源的輸出基準(zhǔn)電壓為1.224V,在-40℃~125℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,電源抑制比為-77.58dB,消耗電流為225.54nA。
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微電子學(xué)雜志
微電子學(xué)雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件與工藝、產(chǎn)品與可靠性、測(cè)試與封裝等。于1971年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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