摘要:文章在對橋接T型結構和行波陣列式特點分析的基礎上,結合二極管組結構提出了一種橋接T 型二極管組探測器陣列新結構。即通過并聯相同兩個級聯的光電二極管,以此4個二極管構成一個并行二極管組。再將其嵌入到能使帶寬增強力倍的橋接T 型結構中,形成單個陣列單元。最后,根據行波陣列式結構,將陣列單元級聯起來形成橋接T型二極管組探測器新結構。在EDA平臺上,對該陣列單元模擬仿真,再與已有的行波光電探測器在功率合成、工作帶寬、頻率響應等方面對比分析。仿真結果表明,在應用相同二極管數目的條件下,且每個新陣列單元只多增加一個電容元件,陣列輸出功率合成降低一半,工作帶寬卻提高萬倍,響應速率提升3T 。降低的功率可通過級聯新陣列單元進行功率進一步合成。研究結果表明,此陣列結構精簡,不僅有效提高響應速度,更在在工作帶寬、功率合成上都表現出了極高極好的性能。
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