SiO2表面改性對間位芳綸絕緣紙性能的影響
作者：李亞莎; 孟凡強; 章小彬; 周筱; 梅益明 三峽大學電氣與新能源學院; 湖北宜昌443002
摘要：為了分析SiO2納米顆粒表面接枝硅烷偶聯(lián)劑KH550對間位芳綸絕緣紙(PMIA)性能的影響,利用分子動力學方法,建立了表面改性SiO2摻雜PMIA的復(fù)合模型。研究了表面接枝率分別為6%和12%的SiO2對PMIA玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、熱穩(wěn)定性和力學性能的影響。結(jié)果表明:對納米SiO2適當?shù)慕又Ω男阅軌蜻M一步提升間位芳綸絕緣紙的熱穩(wěn)定性和力學性能。與不接枝硅烷偶聯(lián)劑的SiO2相比,表面接枝率為6%的SiO2對PMIA玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的提升幅度更大,同時在均方位移方面展現(xiàn)出的減弱分子鏈運動能力以及在力學性能方面表現(xiàn)出的抗形變、抗剪切能力均更加突出。但當SiO2表面接枝率為12%時,對絕緣紙熱穩(wěn)定性與力學性能的提升幅度和作用效果均不顯著,與不接枝時相近。最后,對兩種接枝率SiO2的影響效果進行了機理分析。
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絕緣材料雜志
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