摘要:采用酞菁鐵高溫裂解法在鍍有鎳金緩沖層的硅基底上生長了碳納米管薄膜(CNTs),并采用二極結構在單脈沖模式下研究了其強流脈沖發射特性。結果表明:在脈沖電場峰值相同的條件下(~12.1V/μm),陰陽極間距越小,冷陰極的發射電流越大,且冷陰極的開啟場強越小;當陰陽極間距為14cm時,CNTs薄膜的強流脈沖發射電流峰值為312A(電流密度為15.9A/cm~2),對應的開啟場強為4.3 V/μm;當陰陽極間距為12.8cm時,CNTs薄膜的強流脈沖發射電流峰值為747.2A(電流密度為38.OA/cm~2),對應的開啟場強為4.0 V/μm。
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功能材料與器件學報雜志, 雙月刊,本刊重視學術導向,堅持科學性、學術性、先進性、創新性,刊載內容涉及的欄目:熱點·關注(柔性材料與器件專題)、綜述·評論、研究·開發等。于1995年經新聞總署批準的正規刊物。