摘要:微電子技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)了半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體器件的進(jìn)步促使器件截止頻率得到飛速提升,目前已達(dá)到太赫茲頻段,這使得基于固態(tài)器件的太赫茲電路頻率特性也隨之發(fā)展到太赫茲頻段。本文重點(diǎn)闡述了太赫茲電路的發(fā)展概況,詳細(xì)概述了InP基雙極器件和場(chǎng)效應(yīng)器件頻率特性、應(yīng)用,以及太赫茲電路在系統(tǒng)中實(shí)際應(yīng)用中的發(fā)展現(xiàn)狀和展望。
注:因版權(quán)方要求,不能公開(kāi)全文,如需全文,請(qǐng)咨詢雜志社。
電子科學(xué)技術(shù)雜志, 雙月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:基礎(chǔ)電子與技術(shù)、整機(jī)與系統(tǒng)、軟件與安全、網(wǎng)絡(luò)與通信、信息物理系統(tǒng)、綜述評(píng)論等。于2014年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。