太赫茲固態放大器研究進展
作者：郭方金; 王維波; 陳忠飛; 孫洪錚; 周細磅; 陶洪琪 南京電子器件研究所; 江蘇南京210016
摘要：隨著半導體技術的發展,晶體管特征頻率不斷提高,已經進入到太赫茲(THz)頻段,使得固態器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大,在THz系統中起著關鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP異質結雙極晶體管/雙異質結雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
電子技術應用雜志
電子技術應用雜志， 月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：技術專欄—射頻與微波、綜述與評論、人工智能、微電子技術、測控技術與儀器儀表、通信與網絡、計算機技術與應用、嵌入式技術、電路與系統、雷達與導航等。于1975年經新聞總署批準的正規刊物。
- 統計源期刊
- 1-3個月審核
