硅上的石墨烯-AlGaN納米錐陣列
摘要：挪威和德國的研究人員在硅上使用石墨烯掩模生長出了氮化鋁鎵(AlGaN)納米錐陣列。發表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德國馬克斯-普朗克學會光學所、德國亥姆霍茲柏林能源與材料中心、挪威科技大學(NTNU)和挪威科技工業研究院(SINTEF)的研究團隊看到了該材料在紫外(UV)發光二極管,光電探測器和激光器的潛在應用價值。他們希望這種材料能夠克服由晶格和熱膨脹不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物結構的問題。石墨烯可以實現準范德華外延,避免懸掛化學鍵引起的問題。
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半導體信息雜志
半導體信息雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：企業指南、國內外半導體技術與器件、市場動態等。于1990年經新聞總署批準的正規刊物。
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